9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZTX853STZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX853STZ参考价格为1.08000美元。Diodes Incorporated ZTX853STZ包装/规格：TRANS NPN 100V 4A E-LINE。您可以下载ZTX853STZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZTX853是TRANS NPN 100V 4A E-LINE，包括ZTX853系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，具有通孔等安装类型功能，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1.2W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为4A，集电器发射极击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为200mV@400mA，4A，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为160 mV，集电极基极电压VCBO为200 V，并且发射极基极电压VEBO为6V，最大DC集电极电流为4A，增益带宽乘积fT为130MHz，连续集电极电流是4A，并且DC集电极基极增益hfe Min在2mA时在10mA时为100，在2V时为100。
ZTX851是TRANS NPN 60V 5A E-LINE，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@200mA、5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及E-Line（TO-92兼容）供应商设备包，该设备也可以用作ZTX851系列。此外，最大功率为1.2W，该设备提供1.2W Pd功耗，该设备具有大量封装，封装盒为E-Line-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5 a，增益带宽乘积fT为130MHz，频率转换为130MHz；发射极基极电压VEBO为6V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@2A，1V，直流电流增益h FE Max为100，在1 V时为10 mA；直流集电极基极增益hFE Min为100，且集电极截止电流最大值为50nA（ICBO），且连续集电极电流为5A，且配置为单一，且集电极-发射极电压VCEO最大值为60V，且集极-发射极饱和电压为180mV，集电极基极电压VCBO为150V。
ZTX851STZ是TRANS NPN 60V 5A E-LINE，包括150 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在250 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于60 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在5 a下工作，除了1μA（ICBO）集流器截止最大值外，该器件还可以用作5A集流器Ic最大值。此外，直流集流器基极增益hfe最小值为75，该器件提供120直流电流增益hfe最大值，该器件具有100@2A、1V直流电流增益h FE最小值Ic Vce，发射极基极电压VEBO为6 V，频率转换为130MHz，增益带宽产品fT为130MHz，最大直流集电极电流为5A，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，封装外壳为E-Line-3，成型引线，封装为切割带（CT）交替封装，Pd功耗为1.2W，最大功率为1.2W；系列为ZTX851；供应商设备包为E-Line（TO-92兼容）；晶体管极性为NPN；晶体管类型为NPN，单位重量为0.016000盎司；Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@200mA，5A；电压集电极-发射极击穿最大值为60V。
