一系列NXP BISS（小信号突破）低饱和电压PNP双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时，这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBSS5230T,215
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 480毫瓦 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: TO-236AB
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.10612 | 1.10612 |
| 10+ | 0.89750 | 8.97504 |
| 30+ | 0.80817 | 24.24531 |
| 100+ | 0.68101 | 68.10140 |
| 600+ | 0.63130 | 378.78360 |
| 1200+ | 0.60155 | 721.87080 |
- 库存: 14175
- 单价: ¥1.10612
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.11
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 即插即用
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 TO-236AB
- 集电极击穿电压 30伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大集电极电流 (Ic) 2A
- 特征频率 200MHz
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 350mV @ 200毫安, 2A
- 最小直流增益 200@1A，2V
- 最大功率 480毫瓦
PBSS5230T,215 产品详情
低饱和电压PNP晶体管
PBSS5230T,215 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBSS3515MB315 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS3515MB315 | ¥0.27516 |
| PBSS301ND115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS301ND115 | ¥0.84032 |
| PBSS5230PAP115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230PAP115 | ¥1.44112 |
| PBSS5230T/ZLR | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230T/ZLR | ¥0.70749 |
| PBSS4120T/S500,215 | 恩智浦 (NXP) | PBSS4120T/S500,215 | ¥0.32303 |
 | PBSS4240T,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | ¥0.43457 |
 | PBSS4032SPN,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO | ¥2.60744 |
 | PBSS4540X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 4A SOT89 | ¥0.72429 |
 | PBSS4021PX,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 6.2A SOT89 | ¥1.23129 |
 | PBSS5320X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 3A SOT89 | ¥0.43457 |
PBSS5230T,215所属分类：分立双极结型晶体管，PBSS5230T,215 由 安世 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBSS5230T,215价格参考￥1.106121，你可以下载 PBSS5230T,215中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBSS5230T,215规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世 (Nexperia)
安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率，并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件：每年 850 亿。该公司广泛的...
