9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的BULB742C-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BULB742C-1参考价格为1.52000美元。STMicroelectronics BULB742C-1包装/规格：TRANS NPN 400V 4A I2PAK。您可以下载BULB742C-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BULB39D-1是TRANS NPN 450V 4A D2PAK，包括BULB39系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于D2PAK-3，以及单一配置，该设备也可用作70000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为450 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为800 V，发射极基极电压VEBO为9 V，最大直流集电极电流为4 a，连续集电极电流4 a，并且DC集电极基极增益hfe Min在5V时在5A时为4，在5V时为10mA时为10。
BULB49DT4是双极晶体管-BJT Hi-Vltg快速开关NPN功率晶体管，包括0.070548盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，数据表说明中显示了用于BULB49D的系列，该系列提供了80000 mW等Pd功率耗散功能，包装设计为在卷筒中工作，以及D2PAK包装箱，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为5 a，发射极基极电压VEBO为10 V，直流集电极基极增益hfe最小值为10，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为450 V，集电极基极电压VCBO为850V。
BULB39DT4带有ST制造的电路图。BULB39DT 4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
