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PBSS5260PAPSX带有引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用替代包装包装。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供功率最大特性，如370mW，晶体管类型设计为在2 PNP（双）以及2A电流收集器Ic Max中工作，该器件还可以用作60V集电极-发射极击穿最大值。此外，直流电流增益hFE最小Ic Vce为110@1A，2V，该器件提供500mV@200mA，2A Vce饱和最大Ib Ic，该器件具有100nA（ICBO）的集电极截止最大值，频率转换为100MHz。
PBSS5260QAZ，带有NXP制造的用户指南。是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持“双极晶体管-BJT 60V，双极（BJ）晶体管PNP 60V 1.7A 150MHz 325mW表面安装DFN1010D-3，Trans-GP BJT PNP 60W 1.7A汽车3引脚DFN-D EP T/R，双极晶体管-双极60V，1.7A PNP低VCE sat（BISS）晶体管”。
PBSS5320D，带有SON/NXP制造的电路图。PBSS5320D采用SOT457封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
