特色
- 低饱和电压VCE（sat）=300mV（最大值）（IC/IB=500mA/50mA）
2SCR372P5T100R
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: MPT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.78031 | 4.78031 |
| 10+ | 4.07051 | 40.70510 |
| 100+ | 3.03984 | 303.98450 |
| 500+ | 2.38827 | 1194.13700 |
| 1000+ | 1.84549 | 1845.49100 |
| 2000+ | 1.68267 | 3365.34200 |
| 5000+ | 1.57409 | 7870.49500 |
| 10000+ | 1.53621 | 15362.19000 |
- 库存: 46
- 单价: ¥4.78031
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 500 mW
- 包装/外壳 至243AA
- 最大集电极电流 (Ic) 700 mA
- 集电极最大截止电流 1.A（ICBO）
- 集电极击穿电压 120伏
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 50毫安, 500毫安
- 供应商设备包装 MPT3
- 特征频率 220兆赫
- 最小直流增益 120@100毫安，5V
2SCR372P5T100R 产品详情
2SCR372P5是用于低频放大器的低饱和电压晶体管。
2SCR372P5T100R 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
