9icnet为您提供由CEL设计和生产的NE85630-T1-R25-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85630-T1-R25-A参考价格为48.111517美元。CEL NE85630-T1-R25-A包装/规格：RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323。您可以下载NE85630-T1-R25-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NE85630-T1-A是RF TRANSISTOR NPN SOT-323，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为使用2SC4226-T1-A零件别名操作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-70、SOT-323等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-323供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为150mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为100mA，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@7mA，3V，频率转换为4.5GHz，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，增益为9dB，Pd功耗为150mW，晶体管极性为NPN，连续集电极电流为0.1A。
NE85630-T1-R24-A是RF晶体管NPN SOT-323，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为以0.002116盎司的单位重量运行，数据表中显示了用于NPN的晶体管类型，该NPN提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计用于Si，以及SOT-323供应商设备包，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，Pd功耗为150mW，该器件采用带卷（TR）封装，该器件具有SC-70、SOT-323封装外壳，噪声系数dB Typ f为1.2dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为9dB，频率转换为4.5GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为70@7mA，3V，集电极Ic最大值为100mA，连续集电极电流为0.1A，配置为单一。
NE85630-T1是TRANS NPN 1GHZ SOT-323，包括100mA集流器Ic Max，设计用于40@7mA，3V DC电流增益hFE Min Ic Vce，数据表说明中显示了用于4.5GHz的频率转换，提供6dB～12dB等增益特性，安装类型设计用于表面安装，以及1.3dB～2.2dB@1GHz～2GHz噪声系数dB Typ f，该设备也可以用作SC-70、SOT-323封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该器件的最大功率为150mW，该器件具有供应商器件封装的SOT-323，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为12V。
