9icnet为您提供CEL设计和生产的NE85634-A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NE85634-A价格参考1.922671美元。CEL NE85634-A包装/规格：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89。您可以下载NE85634-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NE85633-T1B-R25-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于单位重量为0.007090盎司的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，电流收集器Ic最大值为100mA，电压收集器-发射器击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@20mA，10V，频率转换为7GHz，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，增益为11.5dB，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为3 V，连续集电极电流为0.1 A。
NE85633-T1B-R24-A是RF晶体管NPN SOT-23，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在0.007090盎司单位重量下工作，晶体管类型如用于NPN的数据表注释所示，该NPN提供晶体管极性功能，如NPN，技术设计为在Si中工作，以及SOT-23供应商设备包，该设备还可以用作200mW最大功率。此外，Pd功耗为0.2W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装外壳，噪声系数dB Typ f为1.1dB@1GHz，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，增益为11.5dB，频率转换为7GHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@20mA，10V，电流收集器Ic最大值为100mA，连续收集器电流为0.1A，配置为单一。
NE85633-T1B-R25，带有NEC制造的电路图。NE85633-T1B-R25采用SOT23封装，是RF晶体管（BJT）的一部分。
