9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPS65R950C6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPS65R950C6参考价格为0.40000美元。Infineon Technologies IPS65R950C6封装/规格：POWER双极晶体管。您可以下载IPS65R950C6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPS65R950C6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPS65R1K5CEAKMA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于IPS65R1K6CE SP001276050零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012102盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-251-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为28W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为18.2 ns，上升时间为5.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为7.7ns，Qg栅极电荷为10.5nC，沟道模式为增强。
IPS65R1K4C6AKMA1是MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.012102盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPS65R1系列。此外，Rds漏极源极电阻为1.4欧姆，该器件采用IPS65R1K4C6 SP000991120零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-251-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为3.2A。
带有电路图的IPS65R600E6AKMA1，包括TO-251-3包装盒，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPS65R600 E6 SP001273092，该产品提供Si等技术特性。
