该器件采用低压PNP平面技术制造,具有“Base Island”布局。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 极低的集电极到发射极饱和电压
- 3 A连续集电极电流(IC)
- 直流电流增益>100(h铁)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 5.86674 | 5.86674 |
10+ | 5.14970 | 51.49702 |
100+ | 3.94882 | 394.88290 |
500+ | 3.12169 | 1560.84500 |
1000+ | 2.57687 | 2576.87900 |
3000+ | 2.57680 | 7730.42100 |
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该器件采用低压PNP平面技术制造,具有“Base Island”布局。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
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