9icnet为您提供由Renesas Electronics America Inc设计和生产的NESG210833-T1B-A，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NESG210833-T1B-A参考价格为0.44000美元。Renesas Electronics America Inc NESG210833-T1B-A封装/规格：小信号双极晶体管。您可以下载NESG210833-T1B-A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NESG2107M33-T3-A是TRANS NPN 2GHZ M33，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于3-SMD扁平引线封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如3-SuperMiniMold（M33），最大功率设计为130mW，以及NPN晶体管类型，该设备还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器发射器击穿最大值为5V，该设备提供140@5mA，1V直流电流增益hFE最小Ic Vce，该设备具有10GHz的频率转换，噪声系数dB Typ f为0.9dB ~ 1.5dB@2GHz，增益为7dB ~ 10dB。
NESG2107M33-A是TRANS NPN 2GHZ M33，包括5V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为与NPN晶体管类型一起工作，数据表注释中显示了用于3-SuperMiniMold（M33）的供应商设备包，其提供功率最大值功能，如130mW，封装设计为批量工作，以及3-SMD扁平引线封装外壳，该设备还可以用作0.9dB～1.5dB@2GHz噪声系数dB Typ f。此外，安装类型为表面安装，该设备提供7dB～10dB增益，该设备具有10GHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为140@5mA，1V，集电器Ic最大值为100mA。
NESG2107M33-T3是NEC制造的TRANS NPN 2GHZ M33。NESG2107M33-T3采用3-SMD扁平引线封装，是RF晶体管（BJT）的一部分，支持TRANS NPN 2GHZ M33。
NESG210833-T1B，带有RENESAS制造的EDA/CAD模型。NESG210833-T1B采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
