9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BC53-16PA-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BC53-16PA-7参考价格为0.10931美元。Diodes Incorporated BC53-16PA-7包装/规格：TRANS PNP 80V 1A UDFN。您可以下载BC53-16PA-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BC53-16PA-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BC53-10PASX，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于3-SMD、无引线、提供Si等技术特性的封装盒，安装类型设计用于表面安装，以及DFN2020D-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为420mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有1A的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为80V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为63@150mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@50mA，500mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为145MHz，Pd功耗为1.65W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-80 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-100 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为145MHz，连续集电极电流是-1A，直流集电极基本增益hfe Min在-150mA-2V时为63，直流电流增益hfe Max在-150mA-2 V时为160。
带有用户指南的BC52PASX，包括60V电压收集器-发射器击穿最大值，它们设计为在500mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表说明所示，用于PNP，提供晶体管极性特性，如PNP，技术设计为在Si中工作，以及DFN2020D-3供应商设备包，该器件也可以用作420mW最大功率。此外，Pd功耗为1.65W，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有3-SMD，无引线封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽积fT为145MHz，频率转换为145MHz；发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为63@150mA，2V，直流电压增益hFE最大值为250，在-150mA-2V，直流集电极基极增益hFE最小值为63，集电极Ic最大值为1A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为-1A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为-60V，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-60V。
BC53-10PA，115是TRANS PNP 80V 1A SOT1061，包括100nA（ICBO）集流器截止最大值，它们设计用于1A集流器Ic Max、DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于63@150mA，2V，具有145MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及3-UDFN，暴露的衬垫包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装盒。此外，最大功率为420mW，该设备采用3-HUSON（2x2）供应商设备包提供，该设备具有晶体管型PNP，Vce饱和最大Ib-Ic为500mV@50mA，500mA，集电极-发射极击穿最大值为80V。
BC52PA，115是NXP制造的TRANS PNP 60V 1A SOT1061。BC52PA，115可提供3-UDFN，暴露焊盘封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS PNP 60V 1A SOT1061，双极（BJT，Bipolar）晶体管PNP 60P 1A 145MHz 420mW表面安装3-HUSON（2x2），TRANS GP BJT PNP 60W 1A Automotive 3-Pin HUSON T/R，双极晶体管-BJT 60V，1 A PNP中等功率晶体管。
