该设备采用“Base Island”布局,采用PNP平面技术制造。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 快速切换速度
- 高电流增益特性
- 中等功率SOT-223封装中的表面安装装置
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.37375 | 6.37375 |
10+ | 5.70016 | 57.00162 |
100+ | 4.44424 | 444.42430 |
500+ | 3.67157 | 1835.78550 |
1000+ | 3.19035 | 3190.35300 |
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该设备采用“Base Island”布局,采用PNP平面技术制造。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
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