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MMBT2222ATT1G是TRANS NPN 40V 0.6A SC75-3，包括MMBT2222AT系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-75、SOT-416等封装外壳功能，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为150mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有600mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为1V@50mA、500mA，频率转换为300MHz，Pd功耗为150mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为75 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为0.6 A，并且增益带宽乘积fT是300MHz，并且连续集电极电流是0.6A，并且DC集电极基本增益hfe-Min是35。
MMBT2222AT-TP是TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1V@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000071 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，该设备也可以用作MMBT2222系列。此外，最大功率为150mW，该设备提供150mW Pd功耗，该设备具有切割胶带（CT）交替包装，包装箱为SOT-523，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.6A，增益带宽积fT为300MHz，频率转换为300MHz；发射极基极电压VEBO为6V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为75@10mA，10V；直流集电极基极增益hFE Min为35；集电极Ic Max为600mA，集电极截止最大值为100nA，集电极-发射极电压VCEO Max为40V，集电极-基极电压VCBO为75V。
MMBT2222ATT3G是双极晶体管-BJT SS SC75 GP XSTR NPN 75V，包括75 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在1 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max显示在数据表注释中，用于40 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在600 mA下工作，该器件还可以用作6V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为300 MHz，该器件的最大直流集电极电流为0.6 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-416，封装为卷轴式，Pd功耗为150 mW，系列为MMBT2222AT，晶体管极性为NPN。
mmbt2222aw带有上制造的EDA/CAD模型。mmbt2222aw以SOT-323SC-70封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
