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BC857BLP4-7是TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN,包括BC857B系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供封装盒功能,如3-XFDFN,安装类型设计为表面安装,以及X2-DFN1006-3供应商设备封装,该设备也可以用作单一配置。此外,功率最大值为250mW,该器件为PNP晶体管型,该器件具有100mA的集流器Ic最大值,集流器发射极击穿最大值为45V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA,100mA,集流截止最大值为15nA(ICBO),频率转换为100MHz,Pd功耗为250mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为45 V,晶体管极性为PNP,集电极基极电压VCBO为50 V,发射极基极电压VEBO为5 V,最大直流集电极电流为0.1 A,并且增益带宽乘积fT为100MHz,并且DC集电极基本增益hfe Min为220,并且DC电流增益hfe Max为220,在5V时为2mA。
BC857BLP-7是TRANS PNP 45V 0.1A 3-DFN,包括PNP晶体管极性,它们设计用于BC857B系列,Pd功耗如数据表注释所示,用于250 mW,提供卷盘等封装功能,包装盒设计用于DFN1006,以及SMD/SMT安装样式,其最低工作温度范围为-55 C,它的最大工作温度范围为+150℃,该器件的最大直流集电极电流为0.1 A,该器件具有200 MHz的增益带宽乘积fT,发射极基极电压VEBO为5 V,直流电流增益hFE最大值为475,直流集电极基极增益hFE最小值为220,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO最大值为45 V,集电极-发射极饱和电压为650mV,集电极-基极电压VCBO为50V。
BC857BLP4-7B是TRANS PNP 45V 0.1A DFN1006H4-3,包括15nA(ICBO)集流器最大截止电流,它们设计用于100mA集流器Ic Max,DC电流增益hFE Min Ic Vce,如数据表注释所示,用于220@2mA,5V,提供100MHz等频率转换功能,安装类型设计用于表面安装,以及3-XFDFN包装盒,该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,最大功率为250mW,该设备采用X2-DFN1006-3供应商设备包,该设备具有晶体管型PNP,Vce饱和最大Ib-Ic为650mV@5mA,100mA,集电极-发射极击穿最大值为45V。