9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DSS5160TQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DSS5160TQ-7参考价格为0.13117美元。Diodes Incorporated DSS5160TQ-7封装/规格：SS低SAT晶体管SOT23 T&R。您可以下载DSS5160TQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到所需的信息，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DSS5160TQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DSS5140V-7是双极晶体管-BJT LOW VCE（SAT）PNP SMT，包括DSS51系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563，以及单配置，该器件也可以用作600mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为-40 V，晶体管极性为PNP，集电极-发射器饱和电压为-310 mV，集电极基极电压VCBO为-40 V，发射极基极电压VEBO为-5V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为150MHz，直流集电极基极增益hfe Min在1A5V时为160，直流电流增益hfe Max在5V时为300mA。
DSS5160T-7是TRANS PNP 60V 1A SOT23，包括0.000282 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如DSS51中使用的数据表注释所示，DSS51提供卷轴等包装功能，包装盒设计用于SOT-23-3，以及SMD/SMT安装样式，其最大工作温度范围为+150 C。此外，最大直流集电极电流为-2A，该器件以150MHz增益带宽乘积fT提供，该器件具有-5V的发射极基极电压VEBO，在-1A-5V时，直流集电极基极增益hfe Min为100，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为-60V，集电极/发射极饱和电压为-340mV，集极基极电流VCBO为-80V。
DSS5160FDB-7带有电路图，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于1A集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于120@500mA，2V，提供65MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及6-UDFN裸露衬垫包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，功率最大值为405mW，该设备采用U-DFN2020-6供应商设备包，该设备具有2 PNP（双）晶体管型，Vce饱和最大值Ib-Ic为550mV@50mA，1A，集电极-发射极击穿最大值为60V。
DSS5160T，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DSS5160T以SOT-23封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
