特色
- 适用于中等功率驱动器
- 低VCE（sat）
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
2SAR502U3HZGT106
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 520MHz 供应商设备包装: UMT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.67987 | 2.67987 |
| 10+ | 1.97731 | 19.77312 |
| 100+ | 1.11902 | 111.90280 |
| 500+ | 0.74094 | 370.47450 |
| 1000+ | 0.56806 | 568.06100 |
| 3000+ | 0.49396 | 1481.89800 |
| 6000+ | 0.44456 | 2667.41400 |
| 15000+ | 0.39517 | 5927.59500 |
| 30000+ | 0.37047 | 11114.22000 |
| 75000+ | 0.33679 | 25259.62500 |
- 库存: 2895
- 单价: ¥2.67987
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.68
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 即插即用
- 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 200毫瓦
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 供应商设备包装 UMT3
- 最小直流增益 200@100毫安，2V
- 特征频率 520MHz
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 10毫安, 200毫安
- 集电极最大截止电流 200nA（ICBO）
2SAR502U3HZGT106 产品详情
2SAR502U3HZGT106 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SA | 艾沛克斯 (Apex) | TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50" | ¥215.11413 |
 | 2SASL | 艾沛克斯 (Apex) | TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50" | ¥110.81637 |
 | 2SA1020RLRA | 安盛美 (onsemi) | TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92 | ¥0.507 |
 | 2SA1774 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP GP 50V 100MA SC-75 | ¥0.14486 |
 | 2SA1836-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA | ¥0.61087 |
| 2SAR512RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 430兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.43218 |
| 2SAR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 380兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.57703 |
| 2SA1871-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP | ¥5.38278 |
 | 2SA1768S-AN | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 160伏 最大功率: 1 W 特征频率: 120MHz 供应商设备包装: 3-NMP | ¥2.57847 |
| 2SA1015-GR-BP | 微型商业组件 (Micro) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 400毫瓦 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: TO-92 | ¥0.93714 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
