9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的MMBTA05Q-13-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTA05Q-13-F参考价格$0.04307。Diodes Incorporated MMBTA05Q-13-F封装/规格：通用晶体管SOT23。您可以下载MMBTA05Q-13-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBTA05LT1G是TRANS NPN 60V 0.5A SOT23，包括MMBTA05L系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA，100mA，集电截止最大值为100nA，频率转换为100MHz，Pd功耗为225mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.25 V，集电极基极电压VCBO为60 V，并且发射极基极电压VEBO是4V，并且最大DC集电极电流是0.5A，并且增益带宽乘积fT是100MHz，并且连续集电极电流为0.5A，以及DC集电极基极增益hfe Min是100。
MMBTA05-7-F是TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23-3供应商设备包，该设备也可以用作MMBTA05系列。此外，最大功率为300mW，该器件提供300mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.5A，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为4V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA，1V，直流集电极基极增益hFE最小为100，集电极Ic最大为500mA，集电极截止最大为100nA，且连续集电极电流为0.5A，且配置为单，且集电极-发射极电压VCEO Max为60V，且集极-发射极饱和电压为0.25V，且集极基极电压VCBO为60V。
MMBTA05LT3G是双极晶体管-BJT 500mA 60V NPN，包括60 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.25 V集电极-发射极饱和电压下工作。数据表中显示了用于60 V的集电极-发射器电压VCEO Max，其提供了配置功能，如单次连续集电极电流设计为在0.5 a下工作，该器件还可以用作4V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为100 MHz，该器件的最大直流集电极电流为0.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-23-3，封装为卷轴式，Pd功耗为225 mW，系列为MMBTA05L，晶体管极性为NPN，单位重量为0.050717盎司。
MMBTA05LT1是ON制造的TRANS NPN 60V 0.5A SOT23。MMBTA05LT1以TO-236-3，SC-59，SOT-23-3封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPV 60V 0.5B SOT23，双极（BJT，TRANS NPN 60 V 500mA 100MHz 225mW表面安装SOT-23-2（TO-236）。
