9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的MMST6427-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMST6427-F-F参考价格为0.48000美元。Diodes Incorporated MMST6427-F-F包装/规格：TRANS NPN DARL 40V 0.5A SC70-3。您可以下载MMST6427-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMST551-7-F是TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3，包括MMST55系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-323供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为200mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为200mA，集电器-发射极击穿最大值为160V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为200mV@5mA，50mA，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为300MHz，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为160 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为180 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大DC集电极电流为0.2A，增益带宽乘积fT为300MHz，DC集电极基本增益hfe-Min为80。
MMST551-TP是TRANS NPN 160V 0.2A SOT323，包括160V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在200mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.002116盎司的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-323供应商设备包，该设备也可以用作MMST551系列。此外，最大功率为200mW，该器件提供200mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-70、SOT-323，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.2A，增益带宽积fT为300MHz，频率转换为300MHz；发射极基极电压VEBO为5V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为80@10mA，5V；直流集电极基极增益hFE Min为80；集电极Ic Max为200mA，集电极截止最大值为50nA，集电极-发射极电压VCEO Max为160V，集电极-基极电压VCBO为180V。
MMST551-7是由DIODE制造的TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3。MMST551-7以SC-70 SOT-323封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3双极（BJT晶体管NPN 160A 200mA 300MHz 200mW表面安装SOT-323。
