9icnet为您提供由NTE Electronics，Inc设计和生产的2N4399，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N4399参考价格$4.76000。NTE Electronics，Inc 2N4399封装/规格：TRANS PNP 60V 30A TO3。您可以下载2N4399英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如2N4399价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如2N4399库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
2N4393-E3是MOSFET N-CH 40V。1NA TO-18，包括散装封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206AA、TO-18-3金属罐，提供安装类型特征，如通孔，供应商设备封装设计用于TO-206A a（TO-18），以及单一配置，该器件也可以用作N沟道FET型。此外，最大功率为1.8W，该器件提供40V电压击穿V BRGSS，该器件具有5mA@20V的电流漏极Idss Vds Vgs=0，电压截止Vgs关闭Id为500mV@1nA，输入电容Ciss Vds为14pF@20V，电阻RDS开启为100欧姆，晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V。
2N4398是TRANS PNP 40V 30A TO-3，包括0.225789 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2N4398，提供Pd功率耗散功能，如200 W，包装设计用于管，以及TO-3封装盒，该设备也可作为通孔安装型。此外，最大直流集电极电流为30 A，该设备以4 MHz增益带宽产品fT提供，该设备在15 A时具有15个直流集电极基极增益hfe Min，连续集电极电流是10 A，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，集电极/发射极饱和电压为4 V，集极基极电压VCBO为40 V。
2N4393UB，带有Microsemi制造的电路图。是JFET（结场效应）的一部分，并支持JFET N沟道JFET、JFET。
