9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DPLS4140E-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DPLS4140E-13参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated DPLS4140E-13包装/规格：TRANS PNP 140V 4A SOT-223。您可以下载DPLS4140E-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DPLS350E-13是TRANS PNP 50V 3A SOT-223，包括DPLS350系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型PNP，集电极Ic最大值为3A，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@200mA，2A，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为1000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-300 mV，集电极基极电压VCBO为-60 V，发射极基极电压VEBO为-6V，最大直流集电极电流为-5A，增益带宽乘积fT为100MHz，直流集电极基极增益hfe Min为100，在-2A-2V。
DPLS350Y-13是TRANS PNP 50V 3A SOT89-3，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在390mV@300mA、3A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作DPLS350系列。此外，功率最大值为1W，该器件提供1000 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为-5A，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为-6V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@1A，2V，直流集电极基极增益hFE最小值为80@-3A-2V，集电极Ic最大值为3A，集电极截止最大值为100nA，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，集电极-发射器饱和电压为-390 mV，集电极基极电压VCBO为-50 V。
DPLS325E-13是TRANS PNP 25V 3A SOT-223，包括25 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在25 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供100nA（ICBO）等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计为在3A、，除了300 DC集电极基极增益hfe Min，该器件还可以在2 V DC电流增益hfe Max下在10 mA时用作300。此外，DC电流增益h FE Min Ic Vce为300@10mA，2V，该器件提供5 V发射器基极电压VEBO，该器件具有100MHz的频率转换，增益带宽乘积fT为100 MHz，最大DC集电极电流为3 a，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为1000 mW，最大功率为1W，系列为DPLS325，供应商器件封装为SOT-223，晶体管极性为PNP，晶体管类型为PNP、单位重量为0.000282盎司，Vce饱和最大Ib-Ic为500mV@100mA，3A，集电极-发射极击穿最大值为25V。
