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PHPT60603PYX是TRANS PNP 60V 3A LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，包装箱如数据表注释所示，用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK中，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及1.25W最大功率，该器件也可以用作PNP晶体管型。此外，集电器Ic最大值为3A，该设备提供60V集电器-发射器击穿最大值，该设备具有150@500mA、2V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，Vce饱和最大值Ib Ic为225mV@50mA、1A，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为110MHz，Pd功耗为25W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-360 mV，集电极基极电压VCBO为-60V，发射极基极电压VEBO为-8 V，最大直流集电极电流为-3 A，连续集电极电流为-3A。
PHPT60603NYX是TRANS NPN 60V 3A LFPAK，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在270mV@300mA、3A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在LFPAK、Power-SO8以及1.25W最大功率下工作，该器件也可以用作25W Pd功率耗散。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件采用SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+175℃，最大直流集电极电流为3A，频率转换为140MHz，发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，集电极Ic最大值为3A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为3A，且集电极-发射极电压VCEO最大值为60V，集极-发射极饱和电压为120mV，集电极基极电压VCBO为60V。
PHPT60415PYX带有电路图，包括-40 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-375 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO最大值如数据表注释所示，用于-40 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在-15 a下工作，除了在-500 mA-2 V DC集电极基极增益最小值为200时，该器件还可以用作在-500毫安-2 V直流电流增益最大值为340时的器件。此外，发射极基极电压VEBO为-8 V，该器件提供80 MHz增益带宽产品fT，该器件具有-30 a的最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+175 C，它的最低工作温度范围为-55℃，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为PowerSO-8，封装为卷轴式，Pd功耗为25W，技术为Si，晶体管极性为PNP。
PHPT60606NYX，带EDA/CAD型号，包括表面安装型，设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供供应商设备封装功能，如LFPAK、Power-SO8，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及6A集电器Ic Max，该器件还可以用作60V电压收集器发射器击穿最大值。此外，Vce饱和最大值Ib Ic为360mV@300mA，6A，该器件提供240@500mA，2V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件具有180MHz的频率转换，电流收集器截止最大值为100nA，功率最大值为1.35W。
