一系列NXP BISS（小信号突破）低饱和电压NPN双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时，这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。
PBSS305ND,115
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 1.1瓦 特征频率: 140MHz 供应商设备包装: 6-TSOP
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.76630 | 3.76630 |
| 10+ | 3.02753 | 30.27532 |
| 100+ | 2.06350 | 206.35020 |
| 500+ | 1.54780 | 773.90400 |
| 1000+ | 1.16082 | 1160.82000 |
| 3000+ | 1.06412 | 3192.38100 |
| 6000+ | 1.00386 | 6023.19600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.76631
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.77
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 集电极击穿电压 100伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极最大截止电流 100nA
- 最大集电极电流 (Ic) 1A
- 特征频率 140MHz
- 包装/外壳 SC-74，SOT-457
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功率 1.1瓦
- 最小直流增益 170@500毫安，2V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 360mV @ 400毫安, 4A
PBSS305ND,115 产品详情
低饱和电压NPN晶体管
PBSS305ND,115 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PBSS3515MB315 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS3515MB315 | ¥0.27516 |
| PBSS301ND115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS301ND115 | ¥0.84032 |
| PBSS5230PAP115 | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230PAP115 | ¥1.44112 |
| PBSS5230T/ZLR | 安世半导体 (Nexperia) | PBSS5230T/ZLR | ¥0.70749 |
| PBSS4120T/S500,215 | 恩智浦 (NXP) | PBSS4120T/S500,215 | ¥0.32303 |
 | PBSS4240T,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 2A SOT23 | ¥0.43457 |
 | PBSS4032SPN,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO | ¥2.60744 |
 | PBSS4540X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS NPN 40V 4A SOT89 | ¥0.72429 |
 | PBSS4021PX,115 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 6.2A SOT89 | ¥1.23129 |
 | PBSS5320X,135 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 20V 3A SOT89 | ¥0.43457 |
PBSS305ND,115所属分类：分立双极结型晶体管，PBSS305ND,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PBSS305ND,115价格参考￥3.766308，你可以下载 PBSS305ND,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PBSS305ND,115规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
