9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的BC856CW-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BC856CW-G价格参考$0.04499。Comchip Technology BC856CW-G封装/规格：TRANS PNP 65V 100A SOT323。您可以下载BC856CW-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC856CMTF是TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23，其中包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计为单位重量为0.002116盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等包装箱功能，安装类型设计为表面安装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为310mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有100mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为65V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为420@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为310 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-65 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-250 mV，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大DC集电极电流为0.1A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-0.1A，DC集电极基本增益hfe Min为110，DC电流增益hfe Max为800。
BC856BWT1G是TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323，包括65V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000219盎司，提供晶体管类型功能，如PNP，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SC-70-3（SOT323）供应商设备包，该设备也可以用作BC856BW系列。此外，最大功率为150mW，该器件提供150mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-70、SOT-323，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.1A，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为220@2mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为150，集电极Ic最大为100mA，集电极截止最大为15nA（ICBO），连续集电极电流为-0.1A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为-65V，集电极/发射极饱和电压为-0.65 V，集极基极电压VCBO为-80 V。
BC856BWT1，带有ON制造的电路图。BC856BWT1SOT-323封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
BC856C是由ST/QY制造的Trans-GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW汽车3引脚SOT-23 T/R。BC856C采用SOT-23封装，是晶体管（BJT）的一部分-单体，支持Trans-GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW汽车用3引脚SOT-23 T/R。
