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PHPT60610PYX带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK的封装盒，提供Si等技术特性，安装类型设计用于表面安装，以及LFPAK、Power-SO8供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1.5W，该器件为PNP晶体管型，该器件具有10A集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@500mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为470mV@1A，10A，集电极截止最大值为100nA，频率转换为85MHz，Pd功耗为25W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-290 mV，集电极基极电压VCBO为-60V，发射极基极电压VEBO为-8 V，最大直流集电极电流为-20 A，增益带宽乘积fT为85 MHz，连续集电极电流是-10 A，直流集电极基本增益hfe Min在-500 mA-2 V时为120，直流电流增益hfe Max在-500 mA-2 V时为215。
PHPT60610NYX带有用户指南，包括60V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在360mV@1A、10A Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计为在Si中工作，以及LFPAK、Power-SO8供应商设备包，该设备也可以用作1.5W最大功率。此外，Pd功耗为25W，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+175℃，最大直流集电极电流为20 A，增益带宽积fT为140 MHz，频率转换为140 MHz；发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为240@500mA，2V，直流电流增益hFE最大值为410@500mA 2 V，直流集电极基极增益hFE最小值为240@500 mA 2 V，且集电极Ic Max为10A，且集电极截止值Max为100nA，且连续集电极电流为10A，并且配置为Single，且集极-发射极电压VCEO Max为60V，且集集电极-发射极饱和电压为250mV，且集极基极电压VCBO为60V。
PHPT61002NYCX带有电路图，包括100 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在75 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO最大值如数据表注释所示，用于100 V，提供2 a等连续集电极电流功能，集电极截止最大值设计为在100nA（ICBO）下工作，除了2A电流收集器Ic Max，该设备还可以用作100@500mA、1.5V DC电流增益hFE Min Ic Vce。此外，发射极基极电压VEBO为7 V，该器件提供140MHz频率转换，该器件具有2A的最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，封装外壳为SC-100、SOT-669、4-LFPAK，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为25W，最大功率为1.25W，供应商器件封装为LFPAK，功率-SO8，晶体管极性为NPN，晶体管类型为NPN；Vce饱和最大Ib-Ic为75mV@50mA，500mA，电压集电极-发射极击穿最大值为100V。
