9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SCR533PT100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SCR533PT100参考价格0.63000美元。Rohm Semiconductor 2SCR533PT100封装/规格：TRANS NPN 50V 3A SOT-89。您可以下载2SCR533PT100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如2SCR533PT100价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
2SCR523UBTL是TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F，包括2SCR523UB系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起操作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-85等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及UMT3F供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有100mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA、6V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@5mA、50mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为350MHz，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.1 V，集电极基极电压VCBO为50 V、发射极基极电压VEBO为5 V，增益带宽积fT为350 MHz，且连续集电极电流为200mA，且DC集电极基极增益hfe Min为120，且DC电流增益hfe Max为560。
带用户指南的2SCR523MT2L，包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供供应商设备包功能，如VMT3，系列设计用于2SCR523M，以及150mW功率最大值，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-723，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，频率转换为350MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA，6V，集流器Ic最大值为100mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO）。
2SCR523V1T2L是双极晶体管-BJT双极晶体管NPN，包括50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在100 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max显示在数据表注释中，用于50 V，提供配置功能，如单、发射极基极电压VEBO设计为在5 V下工作，除了350 MHz增益带宽产品fT之外，该器件还可以用作200 mA最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有VML0806-3封装盒，封装为卷轴式，Pd功耗为100 mW，晶体管极性为NPN。
