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2N4393-E3是MOSFET N-CH 40V。1NA TO-18,包括散装封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,封装盒如数据表注释所示,用于TO-206AA、TO-18-3金属罐,提供安装类型特征,如通孔,供应商设备封装设计用于TO-206A a(TO-18),以及单一配置,该器件也可以用作N沟道FET型。此外,最大功率为1.8W,该器件提供40V电压击穿V BRGSS,该器件具有5mA@20V的电流漏极Idss Vds Vgs=0,电压截止Vgs关闭Id为500mV@1nA,输入电容Ciss Vds为14pF@20V,电阻RDS开启为100欧姆,晶体管极性为N沟道,Vgs栅极-源极击穿电压为-40 V。
2N4398是TRANS PNP 40V 30A TO-3,包括0.225789 oz单位重量,它们设计用于PNP晶体管极性,系列如数据表注释所示,用于2N4398,提供Pd功率耗散功能,如200 W,包装设计用于管,以及TO-3封装盒,该设备也可作为通孔安装型。此外,最大直流集电极电流为30 A,该设备以4 MHz增益带宽产品fT提供,该设备在15 A时具有15个直流集电极基极增益hfe Min,连续集电极电流是10 A,集电极-发射极电压VCEO Max为40 V,集电极/发射极饱和电压为4 V,集极基极电压VCBO为40 V。
2N4393UB,带有Microsemi制造的电路图。是JFET(结场效应)的一部分,并支持JFET N沟道JFET、JFET。