特色
- 对于高hFE
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
2SD2153T100U
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 2 W 特征频率: 110兆赫 供应商设备包装: MPT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.78031 | 4.78031 |
| 10+ | 4.11396 | 41.13967 |
| 100+ | 3.07388 | 307.38870 |
| 500+ | 2.41536 | 1207.68100 |
| 1000+ | 1.86642 | 1866.42300 |
| 2000+ | 1.70171 | 3403.43800 |
| 5000+ | 1.59191 | 7959.58500 |
| 10000+ | 1.55360 | 15536.02000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.78031
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.78
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 2 W
- 最大集电极电流 (Ic) 2A
- 包装/外壳 至243AA
- 集电极击穿电压 25伏
- 集电极最大截止电流 500nA (ICBO)
- 特征频率 110兆赫
- 供应商设备包装 MPT3
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 500mV @ 20毫安, 1A
- 最小直流增益 820 @ 500毫安, 6V
2SD2153T100U 产品详情
各种产品以节能和高可靠性为主要概念，从超紧凑封装到电源封装，以满足市场需求。
2SD2153T100U 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SD734F | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.90391 |
| 2SD1579-T-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SD1579-T-AZ - SMALL SIGNAL BIPO | ¥8.77333 |
 | 2SD1060R-1E | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 1.75瓦 特征频率: 30MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥0.92709 |
 | 2SD1824GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 20毫安 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 90MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥5.07003 |
 | 2SD1979GSL | 松下电子元件 (Panasonic) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SMini3-F2 | ¥2.46259 |
| 2SD734F-AA | 安盛美 (onsemi) | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA | ¥0.30131 |
| 2SD438F-MP-AE | 安盛美 (onsemi) | 2SD438 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, | ¥0.67794 |
| 2SD799 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥6.88369 |
| 2SD424 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
| 2SD750 | 深圳质超 (SPTECH) | 暂无 | ¥5.90631 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
