9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N3792，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N3792参考价格$45.90000。Microchip Technology 2N3792封装/规格：PNP高功率硅晶体管。您可以下载2N3792英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3790是双极晶体管-BJT PNP GP电源，包括2N3790系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-3，以及150000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，该器件具有晶体管极性PNP，集电极-发射器饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为80 V、发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为10A，并且增益带宽积fT为4MHz，并且连续集电极电流是10A，并且DC集电极基本增益hfe Min在3A2V时为25，并且DC电流增益hfe Max为25。
2N3791是TRANS PNP 60V 10A TO-3，包括0.225789 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2N3791，提供Pd功率耗散功能，如150 W，包装设计用于管，以及TO-3封装盒，该装置也可作为通孔安装型，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+200℃，该器件的最大直流集电极电流为10 a，增益带宽积fT为4 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流集电极基极增益hfe Min在3 a 2 V时为50，连续集电极电流是10 a，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，集电极-发射极饱和电压为1V，集电极-基极电压VCBO为60V。
2N3789是双极晶体管-BJT PNP GP电源，包括60 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在1 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-射极电压VCEO Max显示在数据表注释中，用于60 V，提供10 a等连续集电极电流功能，除了7 V发射极基极电压VEBO，该器件还可以用作4 MHz增益带宽产品fT。此外，最大直流集电极电流为10 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装方式为通孔，封装外壳为TO-3，封装为套筒，Pd功耗为150W，串联为2N3789，晶体管极性为PNP，单位重量为0.225789盎司。
