9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX2N4150，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX2N4150参考价格13.14000美元。Microchip Technology JATX2N4150包装/规格：TRANS NPN 70V 10A TO-5。您可以下载JATX2N4150英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX2N4092是JFET N-CH 40V 360MW TO-18，包括散装包装，设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-18等供应商设备包装功能，FET类型设计用于N通道，以及360MW最大功率，该器件也可以用作40V电压击穿V BRGSS。此外，漏极到源极电压Vdss为40V，该器件提供15mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，该器件具有16pF@20V输入电容Ciss Vds，电阻RDS On为50欧姆。
JATX2N4092UB带有用户指南，包括40V电压击穿V BRGSS，它们设计用于4-SMD供应商设备包，数据表说明中显示了电阻RDS On，用于50欧姆，提供功率最大功能，如360mW，包装设计用于散装，以及4-SMD，无引线封装外壳，该设备也可以用作表面安装安装类型。此外，输入电容Ciss Vds为16pF@20V，该器件为N沟道FET型，该器件具有40V漏极到源极电压Vdss，电流漏极Idss Vds Vgs=0为15mA@20V。
带有电路图的JATX2N4093UB，包括8mA@20V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET类型如数据表注释所示，用于N通道，提供16pF@20V的输入电容Cis Vds特性，安装类型设计用于表面安装，以及3-SMD，无引线封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，最大功率为360mW，该设备提供80欧姆电阻RDS On，该设备具有供应商设备包UB，电压击穿V BRGSS为40V。
