9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZTX658STZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX658STZ参考价格为0.39450美元。Diodes Incorporated ZTX658STZ包装/规格：TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE。您可以下载ZTX658STZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZTX658是TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE，包括ZTX658系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为400V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@100mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@10mA，100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为50MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为400 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为400 V，并且发射极基极电压VEBO为5V，最大DC集电极电流为0.5A，增益带宽乘积fT为50MHz，连续集电极电流是0.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在5V时1mA时为50，在5V时100mA时100mA，在10V时200mA时为40，并且DC电流增益hfe Max在5V时1 mA时为50。
ZTX657是TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE，包括300V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及E-Line（TO-92兼容）供应商设备包，该设备也可以用作ZTX657系列。此外，功率最大值为1W，该设备提供1 W Pd功耗，该设备具有大量封装，封装盒为E-Line-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+200 C，最大直流集电极电流为500 mA，增益带宽乘积fT为30 MHz，频率转换为30 MHz；发射极基极电压VEBO为5 V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为50@100mA，5V，直流电流增益h FE Max为50@100 mA，5V；直流集电极基极增益hFE Min为50@50 mA，5V，10mA，5V，且集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），且连续集电极电流为0.5A，且配置为单一，且集电极-发射极电压VCEO最大值为300V，且集极-发射极饱和电压为500mV，且集极基极电压VCBO为300V。
ZTX657STZ是双极晶体管-BJT NPN超级E线，包括300 V集电极基极电压VCBO，它们设计用于300 V集极-发射极电压VCEO Max，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，例如0.5 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在5 V时在100 mA时工作50，在5 V下在10 mA时工作40，以及在5 V直流电流增益hfe Max时在100毫安时工作50。该器件也可以用作5 V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为30 MHz，该器件的最大直流集电极电流为0.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式为通孔，封装外壳为TO-92，封装为散装，Pd功耗为1 W，系列为ZTX657，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
