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BFN 27 E6327是双极晶体管-BJT PNP硅高压晶体管，包括BFN27系列，它们设计为采用卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BFN27E6327HTSA1 BFN27E5327XT SP000014782，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为360 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为300 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为300 V；发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为0.2 A，且增益带宽乘积fT为100MHz，且连续集电极电流为0.2A，且DC集电极基极增益hfe Min为25，在10mA时为1mA，在10mV时为40mA，在10V时为10mA，在30mA时为10V。
BFN 24 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅高压晶体管，包括0.050717盎司的单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BFN24，其提供Pd功耗功能，如360 mW，零件别名设计用于BFN24E6327HTSA1 BFN24E6317XT SP000014784，以及卷筒包装，该装置也可用作SOT-23-3包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.2 A，增益带宽积fT为70 MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为25，在10 V时为1 mA，且连续集电极电流为0.2A，且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为250V，且集电极基极电压VCBO为250V。
BFN 38 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅高压晶体管，包括300 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在300 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如0.2 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在10 V时在1 mA时工作25，10 V时工作40，10 mA时工作30，30 mA时工作10 V，以及5 V发射极基极电压VEBO，该设备也可用作70 MHz增益带宽乘积fT。此外，最大直流集电极电流为0.2 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-223-4，封装为卷筒，零件别名为BFN38E6327HTSA1 SP000011006，Pd功耗为1500mW，系列为BFN38，晶体管极性为NPN，单位重量为0.006632盎司。
BFN 26 E6327是双极晶体管-BJT NPN硅高压晶体管，包括SOT-23封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表注释所示，用于单体，提供卷盘等封装功能，晶体管极性设计用于NPN，以及BFN26E6327HTSA1 BFN26D6327MT SP000014785零件别名，该装置也可用作BFN26系列。此外，增益带宽乘积fT为70 MHz，该器件提供6 V发射极基极电压VEBO，该器件具有360 mW的Pd功耗，集电极-发射极电压VCEO最大值为300 V，集电极基极电压VCBO为300 V、直流集电极基基增益hfe最小值为25，最大直流集电极电流为0.2 a，单位重量为0.007090盎司，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃。
