9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SCR586D3TL1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SCR586D3TL1参考价格为0.89000美元。Rohm Semiconductor 2SCR586D3TL1封装/规格：低VCE功率晶体管（SA）。您可以下载2SCR586D3 TL1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SCR513PT100是双极晶体管-BJT TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN，包括2SCR513p系列，它们设计为使用卷筒封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如MPT-3，配置设计为在单模式下工作，以及2 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，该器件采用NPN晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为0.13 V，集电极基极电压VCBO为50 V；发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为1 a，并且增益带宽乘积fT是360MHz，并且DC集电极基本增益hfe Min是180，并且DC电流增益hfe Max是450。
2SCR513RTL是双极晶体管-BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A，包括NPN晶体管极性，它们设计用于2SCR513p系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于0.5 W，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于TSMT3，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作360 MHz增益带宽乘积fT。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该器件以450 mA DC电流增益hFE Max提供，该器件具有180的DC集电极基极增益hFE Min，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，集电极基极电压VCBO为50 V。
2SCR514PT100是双极晶体管-BJT NPN 80V 700mA晶体管，包括80V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为在0.7A连续集电极电流下工作，DC集电极基极增益hfe Min如数据表注释所示，用于120，提供发射极基极电压VEBO功能，例如6V，其最大工作温度范围为+150 C，该器件也可以用作MPT-3封装盒。此外，包装为卷筒式，该设备为2SCR514P系列，该设备具有晶体管极性NPN。
2SCR514P GZET100，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。2SCR514P GZET100采用MPT3封装，是IC芯片的一部分。
