硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
起订量: 100
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 100.60388 | 10060.38810 |
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硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...