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2N2904

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 特征频率 -
  • 晶体管类别 -
  • 最大集电极电流 (Ic) -
  • 集电极击穿电压 -
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
  • 集电极最大截止电流 -
  • 最小直流增益 -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商 微芯 (Microchip)

2N2904 产品详情

硅平面外延PNP晶体管

绝对最大额定值

1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W

特征

1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器

应用
1.一般用途
2.高速饱和开关

2N2904所属分类:分立双极结型晶体管,2N2904 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N2904价格参考¥100.603881,你可以下载 2N2904中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N2904规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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