9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SB1181TLR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SB1181TLR参考价格为0.91000美元。Rohm Semiconductor 2SB1181TLR封装/规格：TRANS PNP 80V 1A SOT-428。您可以下载2SB1181TLR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SB1181TLQ是TRANS PNP 80V 1A SOT-428，包括2SB1181系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供CPT-3等封装盒功能，配置设计用于单台，以及10 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为-80 V，该器件采用PNP晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为-0.4 V，集电极基极电压VCBO为-80 V；发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-1 a，增益带宽积fT为100 MHz，连续集电极电流是-1 a，并且DC集电极基极增益hfe Min为120并且DC电流增益hfe Max为390。
2SB1181TLP是TRANS PNP 80V 1A SOT-428，包括0.009185 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2SB1181，提供Pd功率耗散功能，如1000 mW，包装设计用于卷筒，以及DPAK封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大直流集电极电流为1 A，该器件具有100 MHz的增益带宽积fT，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为82，直流集电极基极增益hFE Min为82，连续集电极电流是-1 A，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为80V，集电极-基极电压VCBO为-80V。
2SB1181TL-Q，电路图由ROHM制造。2SB1181TL-Q在SOT252封装中提供，是IC芯片的一部分。
