该设备采用平面技术制造,具有“Base Island”布局。
所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 极低的集电极到发射极饱和电压
- 快速切换速度
- 高电流增益特性
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 6.51861 | 6.51861 |
10+ | 5.84502 | 58.45020 |
100+ | 4.55940 | 455.94060 |
500+ | 3.76645 | 1883.22650 |
1000+ | 3.27270 | 3272.70400 |
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该设备采用平面技术制造,具有“Base Island”布局。
所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
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