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2SD145000A是TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于NS-B1包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备包装功能，如NS-B1，最大功率设计为300mW，以及NPN晶体管类型，该设备还可以用作500mA电流收集器Ic Max。此外，电压收集器发射器击穿最大值为20V，该设备提供200@500mA、2V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该设备具有400mV@20mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为200MHz。
2SD14500RA是TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1，包括20V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mV@20mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，其提供供应商设备包功能，如NS-B1，功率最大值设计为300mW，该设备还可以用作NS-B1包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备提供200MHz的频率转换，该设备具有200@500mA、2V的直流电流增益hFE最小Ic Vce，集电器Ic最大值为500mA，集电器截止值最大值为100nA（ICBO）。
2SD14500SA是TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于500mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于300@500mA，2V，提供200MHz等频率转换功能，安装类型设计用于通孔，以及NS-B1封装外壳，该装置也可以用作切割带（CT）包装。此外，最大功率为300mW，该设备在NS-B1供应商设备包中提供，该设备具有晶体管型NPN，Vce饱和最大Ib Ic为400mV@20mA，500mA，集电极-发射极击穿最大值为20V。
