9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZTX658QSTZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX658QSTZ参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated ZTX658QSTZ封装/规格：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM。您可以下载ZTX658QS TZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZTX658QSTZ价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZTX657是TRANS NPN 300V 0.5A E-LINE，包括ZTX657系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供1W功率最大值，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为300V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@100mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@10mA，100mA，集电截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为30MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为300 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为500 mV，集电极基极电压VCBO为300 V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为500mA，且增益带宽乘积fT为30MHz，且连续集电极电流是0.5A，且DC集电极基极增益hfe Min在5V时100mA时为50，在5V时10mA时为40，且DC电流增益hfe Max在5V时为50。
ZTX657STZ是双极晶体管-BJT NPN超级E线，包括0.016000盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作。ZTX657中使用的系列如数据表注释所示，具有1 W等Pd功耗特性，包装设计为散装工作，以及to-92封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.5 a，增益带宽积fT为30 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为50（100 mA，5 V），且DC集电极基极增益hfe Min在100mA时在5V时为50，在10mA时在10V时为40，且连续集电极电流为0.5A，且配置为单，且集电极-发射极电压VCEO Max为300V，且集极基极电压VCBO为300V。
ZTX655STZ，带有ZETEX制造的电路图。ZTX655STZ采用E-LINE封装，是IC芯片的一部分。
