9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的FZT651QTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT651QTA参考价格为0.81000美元。Diodes Incorporated FZT651QTA包装/规格：TRANS NPN 60V 3A SOT-223。您可以下载FZT651QTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT649TA是TRANS NPN 25V 3A SOT-223，包括FZT649系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-223以及单配置，该设备也可用作2 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为0.4 V，集电极基极电压VCBO为35 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为3 a，增益带宽乘积fT为240MHz，连续集电极电流为3A，直流集电极基本增益hfe Min为70，在50mA时为2V 100，在1A时为2V75，在2A时为2V15，在6V时为6V，在2V时为6A，直流电流增益hfe Max为70。
FZT649TC是双极晶体管-BJT NPN中等功率晶体管，包括0.000282盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列如FZT649中使用的数据表注释所示，该FZT649具有2 W等Pd功耗特性，包装设计为在卷筒中工作，以及SOT-223封装盒，该器件也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为3A，增益带宽积fT为240 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为70，并且DC集电极基极增益hfe Min在50mA时为70，在2V时为100，在1A时为2 V，在2A时为1 V，在2 V时为2 75，在2 A时为2 15，在6V时为6 A，在5V时为2 A，并且连续集电极电流为3 A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，集电极/发射极饱和电压为0.4 V，集极基极电压VCBO为35 V。
FZT651，带有ZETEX制造的电路图。FZT651采用SOT223-3封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
FZT651/PID0062735，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。FZT651/PID0062735采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
