9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N3741A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N3741A参考价格为21.57000美元。Microchip Technology 2N3741A封装/规格:PNP晶体管。您可以下载2N3741A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3741是双极晶体管-BJT。,包括2N3741系列,它们设计用于管式封装,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-66-2等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及单一配置,该设备也可以用作25W Pd功耗,其最大工作温度范围为+200℃,它的最低工作温度范围为-65℃,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为60 V,晶体管极性为PNP,集电极-发射器饱和电压为0.6 V,集电极基极电压VCBO为60 V;发射极基极电压VEBO为7 V,最大直流集电极电流为10 a,增益带宽乘积fT为4 MHz,并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为25,而DC电流增益hfe Max在1mA时为200。
2N3740是双极晶体管-BJT引线功率晶体管,包括PNP晶体管极性,它们设计为与2N3740系列一起工作,Pd功耗如数据表注释所示,适用于25 W,具有管等封装特性,封装外壳设计为适用于to-66,以及螺柱安装样式,它的最大工作温度范围为+200℃。此外,最大直流集电极电流为10 A,该器件提供4 MHz增益带宽乘积fT,该器件具有7 V的发射极基极电压VEBO,直流集电极基极增益hfe Min为10,连续集电极电流是4 A,集电极-发射极电压VCEO Max为60 V,集电极-发射极饱和电压为600mV,集电极-基极电压VCBO为60V。
2N3740A是双极晶体管-BJT PNP晶体管,包括通孔安装型,设计用于to-66封装外壳。