9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP65R600E6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP65R600E6参考价格为0.60000美元。英飞凌科技IPP65R600E6封装/规格：600V COOLMOS功率晶体管。您可以下载IPP65R600E6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP65R600C6是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65R700C6XK IPP55R600C6XKSA1 SP000661310中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80nS，Qg栅极电荷为23nC。
IPP65R600C6XKSA1是MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220-3 CoolMOS C6，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在用于CoolMOS的数据表注释中，该CoolMOS提供Si等技术特性，该系列设计用于XPP65R600，该装置也可以用作管包装。此外，包装箱为TO-220-3，设备提供1信道数信道。
IPP65R600E，带有INF制造的电路图。IPP65R700E采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220。
