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SMBTA 56 E6433是双极型晶体管-BJT PNP硅AF晶体管，包括SMBTA56系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SMBTA56E6433HTMA1 SMBTA66E6433XT SP000011695，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为80 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为80 V；发射极基极电压VEBO为4 V，最大直流集电极电流为0.5 A，且增益带宽乘积fT为100MHz，且连续集电极电流为0.5A，且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时在1V时为100，在100mA时为1V。
SMBTA 42 E6327是TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23，包括0.007090 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如SMBTA42中使用的数据表注释所示，提供Pd功耗功能，如360 mW，零件别名设计用于SMBTA 42E6327HTSA1 SMBTA42E6327XT SP000011000，以及卷筒包装，该装置也可用作SOT-23包装箱。此外，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.5 A，增益带宽积fT为70 MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流集电极基极增益hfe Min为25，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为300V，集电极-基极电压VCBO为300V。
SMBTA 56 E6327是TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23，包括80V集电极基极电压VCBO，它们设计为在80V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe Min功能，例如100，发射极基极电压VEBO设计为在4V下工作，除了100MHz增益带宽产品fT之外，该器件还可以用作0.5A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装型SMD/SMT，封装外壳为SOT-23，封装为卷筒，零件别名为SMBTA56E6327HTSA1 SMBTA56 E6327XT SP000011692，Pd功耗为330mW，串联为SMBTA56，晶体管极性为PNP，单位重量为0.007090盎司。
SMBTA 92 E6327是双极晶体管-BJT AF TRANS GP BJT PNP 300V 0.5A，包括SOT-23封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，零件别名如数据表注释所示，用于SMBTA 92E6327HTSA1 SMBTA92E6327XT SP000011004，提供SMBTA92等系列功能，该器件也可以用作PNP晶体管极性。此外，增益带宽乘积fT为50 MHz，该器件提供5 V发射极基极电压VEBO，该器件具有360 mW的Pd功耗，集电极-发射极电压VCEO最大值为300 V，集电极基极电压VCBO为300 V、直流集电极基基增益hfe最小值为25，最大直流集电极电流为0.5 a，单位重量为0.007090盎司，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃。
