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2SB1188T100Q是TRANS PNP 32V 2A SO-89，其中包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.004603盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-243AA等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及MPT3供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为2W，该器件为PNP晶体管型，该器件具有2A的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为32V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@500mA，3V，Vce饱和最大Ib Ic为800mV@200mA，2A，电流收集器截止最大值为1μa（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为0.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-32 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-500 mV，集电极基极电压VCBO为-40 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为100MHz，连续集电极电流是-2A，直流集电极基本增益hfe Min为82，直流电流增益hfe Max为390。
2SB1188T100P是TRANS PNP 32V 2A SOT-89，包括0.004603 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，Pd功耗如数据表注释所示，用于2000 mW，提供卷盘等包装功能，包装盒设计用于SOT-89以及SMD/SMT安装样式，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大直流集电极电流为2 A，该器件具有100 MHz的增益带宽积fT，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max在3 V时为0.5 A时为82，直流集电极基极增益hFE Min为82，连续集电极电流是-2 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为32V，集电极-基极电压VCBO为-32V。
2SB1188-T100，电路图由ROHM制造。2SB1188-T100采用SOT-89-3L封装，是晶体管（BJT）的一部分-单体。
