9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZX5T851GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZX5T851GTA参考价格为0.94000美元。Diodes Incorporated ZX5T851GTA包装/规格：TRANS NPN 60V 6A SOT223。您可以下载ZX5T851GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZX5T851A是TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3，包括ZX5T851系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供E线等包装箱功能，配置设计用于单台，以及1000 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，该器件具有晶体管极性NPN，集电极基极电压VCBO为150 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为4.5 a，增益带宽积fT为130 MHz，连续集电极电流是4.5 a，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时在1V时为100，在2A时为100；在5A时为55，在5V时为20，在10V时为10；并且DC电流增益hfe Max在1mA时为100。
ZX5T851ASTZ是双极晶体管-BJT NPN 60V 4.5A 3-PIN，包括NPN晶体管极性，它们设计为与ZX5T851系列一起工作，Pd功耗如数据表说明所示，用于1000 mW，提供卷轴等封装功能，包装盒设计用于E线，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为4.5 A，该器件具有130 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为100，10 mA时为1 V，直流集电极基极增益hFE Min为100，并且该配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-基极电压VCBO为150V。
ZX5T851G，带有ZETEX制造的电路图。ZX5T851G采用SOT-223封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
