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MMBT5088是TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBT5088_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为350mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为100mA，集电器-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为300@100μa，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@1mA，10mA，集电器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为50MHz，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为35 V，且发射极基极电压VEBO为4.5V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为50MHz，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基极增益hfe Min为300，且DC电流增益hfe Max为900。
MMBT5088LT1G是TRANS NPN 30V 0.05A SOT23，包括30V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@1mA、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23-3（TO-236）供应商设备包，该设备也可以用作MMBT5088L系列。此外，最大功率为300mW，该器件提供225 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为0.05 A，增益带宽积fT为50 MHz，频率转换为50MHz，发射极基极电压VEBO为4.5 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为300@100μA，5V，直流集电极基极增益hFE Min为300，集电极Ic Max为50mA，集电极截止最大值为50nA（ICBO），并且连续集电极电流为0.05A，并且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为30V，并且集电极-发射器饱和电压为0.5V，集电极基极电压VCBO为35V。
MMBT5088-1Q，带有FAIRCHILD制造的电路图。MMBT5088-1Q采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
MMBT5088-NL，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。MMBT5088-NL采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
