9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N3715，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N3715参考价格为59.71500美元。Microchip Technology 2N3715封装/规格：NPN功率硅晶体管。您可以下载2N3715英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3711是TRANS NPN 30V TO-92，包括2N3711系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BK，提供单位重量功能，如0.016000盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-92包装箱，该设备也可作为单配置使用。此外，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1 V，集电极基极电压VCBO为30 V、发射极基极电压VEBO为6 V，并且最大DC集电极电流为200mA，并且DC集电极基本增益hfe Min为180，并且DC电流增益hfe Max为660。
2N3713是双极晶体管-BJT NPN GP功率，包括0.225789盎司单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列显示在2N3713中使用的数据表注释中，该2N3713提供Pd功耗功能，例如150 W，封装设计为在管中工作，以及to-3封装外壳，该设备也可以用作通孔安装型，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为10 a，增益带宽积fT为4 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流集电极基极增益hfe Min为40，连续集电极电流是10 a，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，集电极-发射极饱和电压为1V，集电极-基极电压VCBO为80V。
2N3714是双极晶体管-BJT NPN GP电源，包括100 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在1 V集电极-发射极饱和电压下工作，数据表中显示了用于80 V的集电极-射极电压VCEO Max，它提供了DC集电极基极增益hfe Min特性，例如40，发射极基极电压VEBO设计为在7 V下工作，除了4MHz增益带宽产品fT之外，该器件还可以用作10 A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的通孔，封装外壳为TO-3，封装为管，Pd功耗为150 W，系列为2N3714，晶体管极性为NPN，单位重量为0.225789盎司。
