9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZTX857，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX857价格参考1.24000美元。Diodes Incorporated ZTX857包装/规格：TRANS NPN 300V 3A E-LINE。您可以下载ZTX857英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZTX855是TRANS NPN 150V 4A E-LINE，包括ZTX855系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供1.2W最大功率，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为4A，集电极-发射极击穿最大值为150V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1A，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为260mV@400mA，4A，集流器截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为90MHz，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为150 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为210 mV，集电极基极电压VCBO为250 V，并且发射极基极电压VEBO为6V，最大DC集电极电流为4A，增益带宽乘积fT为90MHz，连续集电极电流是4A，并且DC集电极基极增益hfe Min在5V时10mA时为100，在5V时1A时为100；在5V时4A时为35，并且DC电流增益hfe Max在5V时10 mA时为100。
ZTX853STZ是双极晶体管-BJT NPN大芯片SELine，包括0.016000盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，系列如数据表注释所示，用于ZTX853，提供1.2W等Pd功耗功能，封装设计为散装工作，以及to-92封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为4 a，增益带宽积fT为130 MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Max在2 V时为100 mA，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为100，在2V时为100；在2A时为2 V；在4A时为2 50，在4V时为4 V；在10V时为20，在10V下为2 V，并且连续集电极电流为4 A；并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V；集电极-辐射极饱和电压为160 mV，并且集电极-基极电压VCBO为200 V。
ZTX855STZ是TRANS NPN 150V 4A E-LINE，包括250 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在210 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-辐射极电压VCEO Max如数据表注释所示，用于150 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在4 a下工作，除了5 V时10 mA时的100，5 V时1 A时1 V时35，4 A时5 V DC集电极基极增益hfe Min，该设备还可以用作5 V DC电流增益hfe Max时10 mA下的100。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该设备提供90 MHz增益带宽产品fT，该设备具有4 A的最大DC集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，安装方式为通孔，包装箱为TO-92，包装为散装，Pd功耗为1.2 W，系列为ZTX855，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
