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BC51PASX带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装类型，数据表注释中显示了用于3-SMD、无引线、提供Si等技术特性的封装盒，安装类型设计用于表面安装，以及DFN2020D-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为420mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有1A的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为63@150mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@50mA，500mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为145MHz，Pd功耗为1.65W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-45 V和发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为145MHz，连续集电极电流是-1A，直流集电极基本增益hfe Min在-150mA-2V时为63，直流电流增益hfe Max在-150mA-2 V时为250。
带有用户指南的BC52-10PASX，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。PNP中使用的晶体管类型如数据表注释所示，提供PNP等晶体管极性特性，技术设计为在Si中工作，以及DFN2020D-3供应商设备包，该器件也可以用作420mW最大功率。此外，Pd功耗为1.65W，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有3-SMD，无引线封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽积fT为145MHz，频率转换为145MHz；发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为63@150mA，2V，直流电压增益hFE最大值为160（在-150mA-2V时），直流集电极基极增益hFE最小值为63（在-150mA-2V时）；集电极Ic最大值为1A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），连续集电极电流为-1A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为-60V，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-60V。
BC52-10PA，115是TRANS PNP 60V 1A SOT1061，包括100nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于1A集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于63@150mA，2V，具有145MHz等频率转换特性，安装类型设计用于表面安装，以及3-UDFN，暴露的衬垫包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装盒。此外，最大功率为420mW，该设备采用3-HUSON（2x2）供应商设备包提供，该设备具有晶体管型PNP，Vce饱和最大Ib-Ic为500mV@50mA，500mA，集电极-发射极击穿最大值为60V。
