9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的MMBTA63-7,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTA63-7参考价格0.40000美元。Diodes Incorporated MMBTA63-7包装/规格:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3。您可以下载MMBTA63-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBTA56WT1G是TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3,包括MMBTA56GW系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000219盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SC-70-3(SOT323)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为150mW,该设备具有晶体管型PNP,集电器Ic最大值为500mA,集电器-发射极击穿最大值为80V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA,1V,Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA,100mA,集电截止最大值为100nA,频率转换为50MHz,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-80 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-0.25 V,集电极基极电压VCBO为-80 V,发射极基极电压VEBO为4V,最大DC集电极电流为0.5A,增益带宽乘积fT为50MHz,连续集电极电流是-0.5A,DC集电极基极增益hfe Min为100。
MMBTA56-TP是TRANS PNP 80V 0.5A SOT23,包括80V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在250mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.007090 oz,提供PNP等晶体管类型功能,晶体管极性设计为在PNP中工作,以及SOT-23供应商设备包,该设备也可以用作MMBTA56系列。此外,最大功率为225mW,该器件提供225mW Pd功耗,该器件具有Digi-ReelR替代封装,封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,最大直流集电极电流为0.5A,增益带宽积fT为50MHz,频率转换为50MHz;发射极基极电压VEBO为4V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@100mA,1V,直流集电极基极增益hFE最小为100,集电极Ic最大为500mA,集电极截止最大为100nA,集电极-发射极电压VCEO Max为80V,集电极-基极电压VCBO为60V。
MMBTA63是达林顿晶体管PNP晶体管达林顿晶体管,包括30 V集电极基极电压VCBO,它们设计为在30 V集极-发射极电压VCEO最大值下工作,配置如数据表注释所示,用于单体,提供直流集电极基基增益hfe最小值功能,如5000,发射极基极电压VEBO设计为在10 V下工作,除了0.1 uA的最大集电极截止电流外,该器件还可以用作1.2 A的最大直流集电极电流,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该器件具有安装型SMD/SMT,封装外壳为SOT-23,封装为卷轴式,晶体管极性为PNP,单位重量为0.002116盎司。