9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N6436,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6436参考价格为64.36500美元。Microchip Technology 2N6436封装/规格:PNP晶体管。您可以下载2N6436英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6433是双极型晶体管-BJT PNP高压晶体管,包括2N6433系列,它们设计为与盒式封装一起工作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-18等封装外壳功能,配置设计为在单级工作,以及500 mW Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-65 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为300 V,该器件具有晶体管极性PNP,集电极-发射器饱和电压为0.5 V,集电极基极电压VCBO为300 V、发射极基极电压VEBO为5 V,且最大DC集电极电流为0.1A,且增益带宽积fT为50MHz,且连续集电极电流是100mA,且DC集电极基本增益hfe Min为30,且DC电流增益hfe Max为150。
2N6431是双极晶体管-BJT NPN高压,包括NPN晶体管极性,它们设计为与2N6431系列一起工作,Pd功耗显示在数据表注释中,用于0.5 W,提供零件别名功能,如BK,封装设计为批量工作,以及to-18封装盒,该设备也可以用作通孔安装型,它的最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+150℃,该器件的最大直流集电极电流为0.1 a,增益带宽积fT为50 MHz,发射极基极电压VEBO为6 V,直流集电极基极增益hfe Min为25,连续集电极电流为0.45 a,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为300V,集电极-发射器饱和电压为0.5V,集极基极电压VCBO为300V。
2N6432是由MOT制造的双极(BJT)晶体管PNP 200V 100mA 50MHz 1.8W通孔TO-18。2N6432采用CAN-3封装,是IC芯片的一部分,支持双极(BJT)晶体管PNP 200V 100mA 50MHz 1.8W通孔TO-18。