- 特点：低噪音
- 极性：NPN
- 补充产品：2SA1312
- 备注：等级由hFE范围指定。
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：700-
- 装配底座：200-
- 装配底座：0.3 V
- 装配底座：100 MHz
2SC3324GRTE85LF
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 120伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-236
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
- 库存: 0
- 单价: ¥0.64954
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,948.63
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规格参数
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
- 特征频率 100MHz
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 工作温度 125摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 120伏
- 最大功率 150 mW
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 1毫安, 10毫安
- 最小直流增益 200@2毫安，6V
- 供应商设备包装 TO-236
- 部件状态 上次购买
2SC3324GRTE85LF 产品详情
2SC3324GRTE85LF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
2SC3324GRTE85LF所属分类：分立双极结型晶体管，2SC3324GRTE85LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC3324GRTE85LF价格参考￥0.649543，你可以下载 2SC3324GRTE85LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC3324GRTE85LF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
